
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥4.242961 | ¥4.24 |
| 10 | ¥2.606391 | ¥26.06 |
| 100 | ¥1.625963 | ¥162.60 |
| 500 | ¥1.197425 | ¥598.71 |
| 1000 | ¥1.05862 | ¥1058.62 |
| 2000 | ¥0.941484 | ¥1882.97 |
| 5000 | ¥0.814347 | ¥4071.74 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 230 mA
漏源电阻 2.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 1 nC
耗散功率 360 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.2 ns
正向跨导(Min) 100 mS
上升时间 3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 6.7 ns
典型接通延迟时间 2.3 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 BSS138N H6433 SP000924060
单位重量 8 mg
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0BSS138NH6433XTMA1
型号:BSS138NH6433XTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥4.242961 |
| 10+: | ¥2.606391 |
| 100+: | ¥1.625963 |
| 500+: | ¥1.197425 |
| 1000+: | ¥1.05862 |
| 2000+: | ¥0.941484 |
| 5000+: | ¥0.814347 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.24