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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 80 V
集电极—基极电压 80 V
发射极 - 基极电压 6 V
饱和电压 300 mV
最大直流电集电极电流 500 mA
耗散功率 600 mW
增益带宽产品 -
集电极连续电流 500 mA
直流集电极 120
直流电流增益(Max) 350 at 10 mA, 1 V
技术 Si
高度 1.1 mm
长度 3 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 15 mg
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0DSM80101M-7
型号:DSM80101M-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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