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EPC2014C

EPS
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制造商编号:
EPC2014C
制造商:
EPS
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE
渠道:
digikey

库存 :92500

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起订量:2500

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
2500 8.424102 21060.25

规格参数

属性
参数值

制造商型号

EPC2014C

制造商

EPS

商品描述

GANFET TRANS 40V 10A BUMPED DIE

包装

Tape & Reel (TR) Alternate Packaging

系列

eGaN®

零件状态

Active

FET 类型

N-Channel

技术

GaNFET (Gallium Nitride)

漏源电压(Vdss)

40V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

10A (Ta)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

16mOhm @ 10A, 5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 2mA

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

2.5nC @ 5V

Vgs(最大值)

+6V, -4V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

300pF @ 20V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

-

工作温度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安装类型

Surface Mount

供应商器件封装

Die Outline (5-Solder Bar)

封装/外壳

Die

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型号:EPC2014C

品牌:EPS

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