
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥54.031783 | ¥54.03 |
| 10 | ¥45.312369 | ¥453.12 |
| 100 | ¥36.661565 | ¥3666.16 |
| 500 | ¥32.588598 | ¥16294.30 |
| 1000 | ¥27.903843 | ¥27903.84 |
制造商 onsemi
商标 onsemi
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 27 A
漏源电阻 21 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 5 nC
耗散功率 28 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.5 ns
正向跨导(Min) 37 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 75 mg
购物车
0NTMYS021N06CLTWG
型号:NTMYS021N06CLTWG
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥54.031783 |
| 10+: | ¥45.312369 |
| 100+: | ¥36.661565 |
| 500+: | ¥32.588598 |
| 1000+: | ¥27.903843 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥54.03