货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥13.415028 | ¥13.42 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 2.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 79 nC
耗散功率 167 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 13 ns
正向跨导(Min) 83 S
上升时间 78 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 25 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD031N06L3 G SP000451076
单位重量 330 mg
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0IPD031N06L3GATMA1
型号:IPD031N06L3GATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.415028 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥13.42