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制造商 Taiwan Semiconductor
商标 Taiwan Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 12 mOhms
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 29 nC
耗散功率 73.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 19 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 14 ns
典型接通延迟时间 1.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 TSM170N06PQ56
单位重量 372.608 mg
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0TSM170N06PQ56 RLG
型号:TSM170N06PQ56 RLG
品牌:Taiwan Semiconductor
供货:锐单
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