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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 340 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 500 pC
耗散功率 320 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.5 ns
正向跨导(Min) 1.8 mS
上升时间 2.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 22.6 ns
典型接通延迟时间 2.4 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 6 mg
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0DMN62D0UW-7
型号:DMN62D0UW-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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