CSD25202W15T
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- CSD25202W15T
- 制造商：
- TI(德州仪器)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V 4A 9DSBGA
- 渠道：
- digikey
库存 ：1450
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥17.5732 | ￥17.57 |
| 10 | ￥14.344303 | ￥143.44 |
| 100 | ￥11.151125 | ￥1115.11 |
规格参数
关键信息
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 52 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 750 mV
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 500 mW
配置 Single
下降时间 28 ns
正向跨导（Min） 16 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 15 ns
外形参数
高度 0.62 mm
长度 1.5 mm
宽度 1.5 mm
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.500 mg
CSD25202W15T 同类别型号
注
CSD25202W15T品牌厂家：TI
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购CSD25202W15T、查询CSD25202W15T代理商；
CSD25202W15T价格批发咨询客服；这里拥有
CSD25202W15T中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到CSD25202W15T
替代型号
、CSD25202W15T
数据手册PDF
。
CSD25202W15T
型号：CSD25202W15T
品牌：TI
供货：锐单
库存：1450 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥17.5732 |
| 10+： | ￥14.344303 |
| 100+： | ￥11.151125 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥17.57