货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥14.801882 | ¥14.80 |
10 | ¥13.182926 | ¥131.83 |
100 | ¥10.276901 | ¥1027.69 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 4 A
漏源电阻 52 mOhms
栅极电压 - 6 V, + 6 V
栅源极阈值电压 750 mV
栅极电荷 5.8 nC
耗散功率 500 mW
配置 Single
下降时间 28 ns
正向跨导(Min) 16 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 64 ns
典型接通延迟时间 15 ns
高度 0.62 mm
长度 1.5 mm
宽度 1.5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2.500 mg
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0CSD25202W15T
型号:CSD25202W15T
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.801882 |
10+: | ¥13.182926 |
100+: | ¥10.276901 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥14.80