货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥14.317482 | ¥14.32 |
10 | ¥12.878883 | ¥128.79 |
100 | ¥10.351745 | ¥1035.17 |
500 | ¥8.504996 | ¥4252.50 |
1000 | ¥7.087496 | ¥7087.50 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 160 A
漏源电阻 3.3 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 85 nC
耗散功率 230 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IRFB3306GPBF SP001555952
单位重量 2 g
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0IRFB3306GPBF
型号:IRFB3306GPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥14.317482 |
10+: | ¥12.878883 |
100+: | ¥10.351745 |
500+: | ¥8.504996 |
1000+: | ¥7.087496 |
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单价:¥0.00总价:¥14.32