货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥13.208362 | ¥13.21 |
10 | ¥10.853286 | ¥108.53 |
100 | ¥8.437153 | ¥843.72 |
500 | ¥7.151207 | ¥3575.60 |
1000 | ¥5.825387 | ¥5825.39 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 15 A
漏源电阻 155 mOhms
栅极电压 - 16 V, + 16 V
栅源极阈值电压 1.8 V
栅极电荷 22.7 nC
耗散功率 52 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 26 ns
上升时间 53 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 30 ns
典型接通延迟时间 7.2 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRLR3410TRPBF SP001567392
单位重量 330 mg
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0IRLR3410TRPBF
型号:IRLR3410TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.208362 |
10+: | ¥10.853286 |
100+: | ¥8.437153 |
500+: | ¥7.151207 |
1000+: | ¥5.825387 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.21