
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.429926 | ¥13.43 |
| 10 | ¥11.644031 | ¥116.44 |
| 100 | ¥8.065099 | ¥806.51 |
| 500 | ¥6.73868 | ¥3369.34 |
| 1000 | ¥5.735008 | ¥5735.01 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 800 V
漏极电流 3 A
漏源电阻 1.7 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 9 nC
耗散功率 6 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 20 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPN80R2K0P7 SP001664996
单位重量 116.010 mg
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0IPN80R2K0P7ATMA1
型号:IPN80R2K0P7ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥13.429926 |
| 10+: | ¥11.644031 |
| 100+: | ¥8.065099 |
| 500+: | ¥6.73868 |
| 1000+: | ¥5.735008 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.43