
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥104.203806 | ¥104.20 |
| 10 | ¥95.783243 | ¥957.83 |
| 100 | ¥80.895537 | ¥8089.55 |
| 500 | ¥71.962381 | ¥35981.19 |
| 1000 | ¥67.676213 | ¥67676.21 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 180 A
漏源电阻 12.9 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 345 nC
耗散功率 1.39 kW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 28 ns
正向跨导(Min) 100 S
上升时间 33 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 37 ns
高度 21.34 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
类型 GigaMOS Power MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFX180N25T
型号:IXFX180N25T
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥104.203806 |
| 10+: | ¥95.783243 |
| 100+: | ¥80.895537 |
| 500+: | ¥71.962381 |
| 1000+: | ¥67.676213 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥104.20