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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 2.9 A
漏源电阻 95 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
耗散功率 1.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 P-Channel
高度 0.78 mm
长度 3 mm
宽度 2 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 37.400 mg
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0DMS2120LFWB-7
型号:DMS2120LFWB-7
品牌:DIODES
供货:锐单
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