SI7157DP-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SI7157DP-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V 60A PPAK SO-8
- 渠道：
- digikey
库存 ：7305
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥26.924781 | ￥26.92 |
| 10 | ￥20.423059 | ￥204.23 |
| 100 | ￥13.828017 | ￥1382.80 |
| 500 | ￥11.00367 | ￥5501.84 |
| 1000 | ￥10.439167 | ￥10439.17 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 1.25 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 625 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 55 ns
正向跨导（Min） 120 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 220 ns
典型接通延迟时间 20 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
SI7157DP-T1-GE3 同类别型号
注
SI7157DP-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SI7157DP-T1-GE3
数据手册PDF。
SI7157DP-T1-GE3
型号：SI7157DP-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：7305 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥26.924781 |
| 10+： | ￥20.423059 |
| 100+： | ￥13.828017 |
| 500+： | ￥11.00367 |
| 1000+： | ￥10.439167 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥26.92