货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥18.530466 | ¥18.53 |
10 | ¥15.12285 | ¥151.23 |
100 | ¥11.764981 | ¥1176.50 |
500 | ¥9.971879 | ¥4985.94 |
1000 | ¥8.123184 | ¥8123.18 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 60 A
漏源电阻 1.25 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 1.4 V
栅极电荷 625 nC
耗散功率 104 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 55 ns
正向跨导(Min) 120 S
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 220 ns
典型接通延迟时间 20 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 506.600 mg
购物车
0SI7157DP-T1-GE3
型号:SI7157DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥18.530466 |
10+: | ¥15.12285 |
100+: | ¥11.764981 |
500+: | ¥9.971879 |
1000+: | ¥8.123184 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥18.53