
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥10.676286 | ¥10.68 |
| 50 | ¥8.569152 | ¥428.46 |
| 100 | ¥7.050515 | ¥705.05 |
| 500 | ¥5.966013 | ¥2983.01 |
| 1000 | ¥5.062019 | ¥5062.02 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 500 V
漏极电流 24.8 A
漏源电阻 450 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 47.2 nC
耗散功率 32 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7.5 ns
上升时间 8.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 54 ns
典型接通延迟时间 9.5 ns
高度 16.15 mm
长度 10.65 mm
宽度 4.85 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPA50R190CE SP001364312
单位重量 2 g
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0IPA50R190CEXKSA2
型号:IPA50R190CEXKSA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥10.676286 |
| 50+: | ¥8.569152 |
| 100+: | ¥7.050515 |
| 500+: | ¥5.966013 |
| 1000+: | ¥5.062019 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.68