SQ3418EV-T1_GE3
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- 制造商编号：
- SQ3418EV-T1_GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CHANNEL 40V 8A 6TSOP
- 渠道：
- digikey
库存 ：0
货期： 8周-10周
起订量：3000
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ￥3.714321 | ￥11142.96 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay / Siliconix
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 40 V
漏极电流 8 A
漏源电阻 26 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 12.7 nC
耗散功率 5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 37 ns
正向跨导（Min） 21 S
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 12 ns
典型接通延迟时间 6 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 20 mg
SQ3418EV-T1_GE3 同类别型号
注
SQ3418EV-T1_GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SQ3418EV-T1_GE3
数据手册PDF。
SQ3418EV-T1_GE3
型号：SQ3418EV-T1_GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：0 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 3000+： | ￥3.714321 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00