
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥21.309122 | ¥21.31 |
| 10 | ¥19.083201 | ¥190.83 |
| 100 | ¥14.881097 | ¥1488.11 |
| 500 | ¥12.293057 | ¥6146.53 |
| 1000 | ¥9.705151 | ¥9705.15 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
产品 Power MOSFETs
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 6.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.7 V
栅极电荷 15 nC
耗散功率 116 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 1.7 ns
上升时间 6.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel Power MOSFET
典型关闭延迟时间 11.4 ns
典型接通延迟时间 3.2 ns
高度 1 mm
长度 5.75 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 60 V N-Channel NexFET Power MOSFETs
单位重量 86 mg
购物车
0CSD18563Q5A
型号:CSD18563Q5A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥21.309122 |
| 10+: | ¥19.083201 |
| 100+: | ¥14.881097 |
| 500+: | ¥12.293057 |
| 1000+: | ¥9.705151 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥21.31