货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥17.195791 | ¥17.20 |
10 | ¥14.055691 | ¥140.56 |
100 | ¥10.936774 | ¥1093.68 |
500 | ¥9.269778 | ¥4634.89 |
1000 | ¥7.55132 | ¥7551.32 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 31 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 57 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD30N10S3L-34 SP000261248
单位重量 4 g
购物车
0IPD30N10S3L34ATMA1
型号:IPD30N10S3L34ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥17.195791 |
10+: | ¥14.055691 |
100+: | ¥10.936774 |
500+: | ¥9.269778 |
1000+: | ¥7.55132 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥17.20