
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥30.003795 | ¥30.00 |
| 10 | ¥19.12363 | ¥191.24 |
| 100 | ¥12.907694 | ¥1290.77 |
| 500 | ¥10.246447 | ¥5123.22 |
| 1000 | ¥9.593789 | ¥9593.79 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 31 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.2 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 57 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 6 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPD30N10S3L-34 SP000261248
单位重量 4 g
购物车
0IPD30N10S3L34ATMA1
型号:IPD30N10S3L34ATMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥30.003795 |
| 10+: | ¥19.12363 |
| 100+: | ¥12.907694 |
| 500+: | ¥10.246447 |
| 1000+: | ¥9.593789 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥30.00