
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥10.348556 | ¥10.35 |
| 10 | ¥9.29616 | ¥92.96 |
| 25 | ¥8.769962 | ¥219.25 |
| 100 | ¥6.840571 | ¥684.06 |
| 250 | ¥6.665171 | ¥1666.29 |
制造商 Infineon
商标名 OptiMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 80 A
漏源电阻 6.2 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 68 nC
耗散功率 150 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 9 ns
正向跨导(Min) 50 S
上升时间 37 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 37 ns
典型接通延迟时间 19 ns
高度 15.65 mm
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPP072N10N3 G SP000680830
单位重量 2 g
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0IPP072N10N3GXKSA1
型号:IPP072N10N3GXKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥10.348556 |
| 10+: | ¥9.29616 |
| 25+: | ¥8.769962 |
| 100+: | ¥6.840571 |
| 250+: | ¥6.665171 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥10.35