货期: 8周-10周
起订量:3000
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
3000 | ¥5.100599 | ¥15301.80 |
6000 | ¥4.968115 | ¥29808.69 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 13 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 22.4 nC
耗散功率 2.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 4.4 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 24.4 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 30 mg
购物车
0DMT6008LFG-13
型号:DMT6008LFG-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
3000+: | ¥5.100599 |
6000+: | ¥4.968115 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥0.00