
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥109.627905 | ¥109.63 |
| 10 | ¥100.773344 | ¥1007.73 |
| 100 | ¥85.111481 | ¥8511.15 |
| 500 | ¥75.712655 | ¥37856.33 |
制造商 Infineon
商标名 CoolMOS
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 83.2 A
漏源电阻 33 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2.5 V
栅极电荷 330 nC
耗散功率 500 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
上升时间 32 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 140 ns
典型接通延迟时间 22 ns
高度 21.1 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPW65R037C6 SP000756284
单位重量 6 g
购物车
0IPW65R037C6FKSA1
型号:IPW65R037C6FKSA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥109.627905 |
| 10+: | ¥100.773344 |
| 100+: | ¥85.111481 |
| 500+: | ¥75.712655 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥109.63