
货期:国内(1~3工作日)
起订量:3000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 3000 | ¥0.274382 | ¥823.15 |
| 6000 | ¥0.245466 | ¥1472.80 |
| 9000 | ¥0.230693 | ¥2076.24 |
| 15000 | ¥0.214151 | ¥3212.27 |
| 21000 | ¥0.204303 | ¥4290.36 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 300 mA
漏源电阻 1.6 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 600 pC
耗散功率 500 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.1 ns
正向跨导(Min) 200 mS
上升时间 3.3 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 5.5 ns
典型接通延迟时间 3 ns
高度 1.1 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.3 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 2N7002 H6327 SP000929182
单位重量 8 mg
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02N7002H6327XTSA2
型号:2N7002H6327XTSA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
| 3000+: | ¥0.274382 |
| 6000+: | ¥0.245466 |
| 9000+: | ¥0.230693 |
| 15000+: | ¥0.214151 |
| 21000+: | ¥0.204303 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00