货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥11.640653 | ¥11.64 |
10 | ¥9.57258 | ¥95.73 |
100 | ¥7.446302 | ¥744.63 |
500 | ¥6.311712 | ¥3155.86 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 1.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 112 mg
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0ZVN4210GTA
型号:ZVN4210GTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥11.640653 |
10+: | ¥9.57258 |
100+: | ¥7.446302 |
500+: | ¥6.311712 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥11.64