
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥13.346888 | ¥13.35 |
| 10 | ¥10.975686 | ¥109.76 |
| 100 | ¥8.537748 | ¥853.77 |
| 500 | ¥7.236854 | ¥3618.43 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 800 mA
漏源电阻 1.8 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 800 mV
栅极电荷 -
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
上升时间 8 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 4 ns
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 FET
单位重量 112 mg
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0ZVN4210GTA
型号:ZVN4210GTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥13.346888 |
| 10+: | ¥10.975686 |
| 100+: | ¥8.537748 |
| 500+: | ¥7.236854 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.35