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数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 90 A
漏源电阻 1.8 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.5 V
栅极电荷 257 nC
耗散功率 250 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 10 ns
正向跨导(Min) 160 S
上升时间 11 ns
晶体管类型 2 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 18 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0SUM90N03-2M2P-E3
型号:SUM90N03-2M2P-E3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
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