IPDD60R102G7XTMA1
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- 制造商编号：
- IPDD60R102G7XTMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1700
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1700 | ￥15.405433 | ￥26189.24 |
| 3400 | ￥15.180571 | ￥51613.94 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 23 A
漏源电阻 102 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 139 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 5 ns
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 18 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPDD60R102G7 SP001632832
单位重量 761.840 mg
IPDD60R102G7XTMA1 同类别型号
注
IPDD60R102G7XTMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、IPDD60R102G7XTMA1
数据手册PDF。
IPDD60R102G7XTMA1
型号：IPDD60R102G7XTMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1700+： | ￥15.405433 |
| 3400+： | ￥15.180571 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00