
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥127.80755 | ¥127.81 |
| 10 | ¥117.879955 | ¥1178.80 |
| 100 | ¥100.660432 | ¥10066.04 |
| 500 | ¥91.38883 | ¥45694.42 |
制造商 IXYS
商标名 HiPerFET
商标 IXYS
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 64 A
漏源电阻 96 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 5 V
栅极电荷 200 nC
耗散功率 1.04 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 24 ns
正向跨导(Min) 63 S
上升时间 23 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 79 ns
典型接通延迟时间 28 ns
高度 21.34 mm
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
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0IXFX64N60P
型号:IXFX64N60P
品牌:IXYS
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥127.80755 |
| 10+: | ¥117.879955 |
| 100+: | ¥100.660432 |
| 500+: | ¥91.38883 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥127.81