货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥63.015721 | ¥63.02 |
10 | ¥56.553521 | ¥565.54 |
25 | ¥53.471928 | ¥1336.80 |
100 | ¥42.775319 | ¥4277.53 |
250 | ¥40.399255 | ¥10099.81 |
500 | ¥38.022944 | ¥19011.47 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 23 A
漏源电阻 102 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 139 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 5 ns
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 18 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPDD60R102G7 SP001632832
单位重量 761.840 mg
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0IPDD60R102G7XTMA1
型号:IPDD60R102G7XTMA1
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥63.015721 |
10+: | ¥56.553521 |
25+: | ¥53.471928 |
100+: | ¥42.775319 |
250+: | ¥40.399255 |
500+: | ¥38.022944 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥63.02