IPDD60R102G7XTMA1
-
图像仅供参考
请参阅产品规格
- 制造商编号：
- IPDD60R102G7XTMA1
- 制造商：
- INFINEON(英飞凌)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET NCH 650V 66A PG-HDSOP-10
- 渠道：
- digikey
库存 ：2009
货期：（7~10天）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥72.25228 | ￥72.25 |
| 10 | ￥64.842878 | ￥648.43 |
| 25 | ￥61.309601 | ￥1532.74 |
| 100 | ￥49.045131 | ￥4904.51 |
| 250 | ￥46.320795 | ￥11580.20 |
| 500 | ￥43.596174 | ￥21798.09 |
规格参数
关键信息
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 600 V
漏极电流 23 A
漏源电阻 102 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 34 nC
耗散功率 139 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 4 ns
上升时间 5 ns
典型关闭延迟时间 60 ns
典型接通延迟时间 18 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 IPDD60R102G7 SP001632832
单位重量 761.840 mg
IPDD60R102G7XTMA1 同类别型号
注
IPDD60R102G7XTMA1品牌厂家：INFINEON
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
，可在锐单商城现货采购IPDD60R102G7XTMA1、查询IPDD60R102G7XTMA1代理商；
IPDD60R102G7XTMA1价格批发咨询客服；这里拥有
IPDD60R102G7XTMA1中文资料
、引脚图、Datasheet数据手册、pdf功能说明书、规格参数、 现货库存、封装信息、产品选型手册，还可快速找到IPDD60R102G7XTMA1
替代型号
、IPDD60R102G7XTMA1
数据手册PDF。
IPDD60R102G7XTMA1
型号：IPDD60R102G7XTMA1
品牌：INFINEON
供货：锐单
库存：2009 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥72.25228 |
| 10+： | ￥64.842878 |
| 25+： | ￥61.309601 |
| 100+： | ￥49.045131 |
| 250+： | ￥46.320795 |
| 500+： | ￥43.596174 |
货期：7-10天
+ -
单价：￥0.00总价：￥72.25