货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥22.574389 | ¥22.57 |
10 | ¥18.502427 | ¥185.02 |
100 | ¥14.390459 | ¥1439.05 |
500 | ¥12.197029 | ¥6098.51 |
1000 | ¥9.935874 | ¥9935.87 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 100 A
漏源电阻 4 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8.3 nC
耗散功率 3.2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 5.3 ns
正向跨导(Min) 76 S
上升时间 13 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 13 ns
典型接通延迟时间 7.5 ns
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 4.9 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 Power MOSFET
单位重量 86 mg
购物车
0CSD17506Q5A
型号:CSD17506Q5A
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥22.574389 |
10+: | ¥18.502427 |
100+: | ¥14.390459 |
500+: | ¥12.197029 |
1000+: | ¥9.935874 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.57