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数量 | 价格 | 总计 |
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制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 12 A
漏源电阻 140 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 9.7 nC
耗散功率 42 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12.8 ns
上升时间 11.1 ns
典型关闭延迟时间 42.6 ns
典型接通延迟时间 10.5 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 330 mg
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0DMN10H170SK3Q-13
型号:DMN10H170SK3Q-13
品牌:DIODES
供货:锐单
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