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整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1+ : 需询价 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET, PowerPAK
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 30 A
漏源电阻 4.4 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 180 nC
耗散功率 39 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 30 ns
正向跨导(Min) 55 S
上升时间 30 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 100 ns
典型接通延迟时间 40 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
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0SIS435DNT-T1-GE3
型号:SIS435DNT-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
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