SCT30N120
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- 制造商编号：
- SCT30N120
- 制造商：
- ST(意法半导体)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：1
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ￥139.090916 | ￥139.09 |
| 30 | ￥115.291982 | ￥3458.76 |
| 120 | ￥108.085847 | ￥12970.30 |
| 510 | ￥92.233256 | ￥47038.96 |
规格参数
属性
参数值
制造商型号
SCT30N120
制造商
ST(意法半导体)
商品描述
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
包装
Tube
系列
-
零件状态
Active
FET 类型
N-Channel
技术
SiCFET (Silicon Carbide)
漏源电压（Vdss）
1200V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
40A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
20V
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
100mOhm @ 20A, 20V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
2.6V @ 1mA (Typ)
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
105nC @ 20V
Vgs（最大值）
+25V, -10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1700pF @ 400V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
270W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 200°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商器件封装
HiP247™
封装/外壳
TO-247-3
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注
SCT30N120品牌厂家：ST
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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、SCT30N120
数据手册PDF。
SCT30N120
型号：SCT30N120
品牌：ST
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 1+： | ￥139.090916 |
| 30+： | ￥115.291982 |
| 120+： | ￥108.085847 |
| 510+： | ￥92.233256 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥139.09