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SCT30N120

ST(意法半导体)
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制造商编号:
SCT30N120
制造商:
ST(意法半导体)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 139.090916 139.09
30 115.291982 3458.76
120 108.085847 12970.30
510 92.233256 47038.96

规格参数

属性
参数值

制造商型号

SCT30N120

制造商

ST(意法半导体)

商品描述

MOSFET N-CH 1200V 45A HIP247

包装

Tube

系列

-

零件状态

Active

FET 类型

N-Channel

技术

SiCFET (Silicon Carbide)

漏源电压(Vdss)

1200V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)

40A (Tc)

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

20V

不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)

100mOhm @ 20A, 20V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)

2.6V @ 1mA (Typ)

不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)

105nC @ 20V

Vgs(最大值)

+25V, -10V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)

1700pF @ 400V

FET 功能

-

功率耗散(最大值)

270W (Tc)

工作温度

-55°C ~ 200°C (TJ)

安装类型

Through Hole

供应商器件封装

HiP247™

封装/外壳

TO-247-3

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型号:SCT30N120

品牌:ST

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥139.090916
30+: ¥115.291982
120+: ¥108.085847
510+: ¥92.233256

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