
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥3.341834 | ¥3.34 |
| 10 | ¥2.821994 | ¥28.22 |
| 30 | ¥2.599205 | ¥77.98 |
| 100 | ¥2.376416 | ¥237.64 |
| 500 | ¥2.238499 | ¥1119.25 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 270 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 500 pC
耗散功率 520 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 mg
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0DMN313DLT-7
型号:DMN313DLT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥3.341834 |
| 10+: | ¥2.821994 |
| 30+: | ¥2.599205 |
| 100+: | ¥2.376416 |
| 500+: | ¥2.238499 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥3.34