货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥3.341834 | ¥3.34 |
10 | ¥2.821994 | ¥28.22 |
30 | ¥2.599205 | ¥77.98 |
100 | ¥2.376416 | ¥237.64 |
500 | ¥2.238499 | ¥1119.25 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 270 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 500 pC
耗散功率 520 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 mg
购物车
0DMN313DLT-7
型号:DMN313DLT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥3.341834 |
10+: | ¥2.821994 |
30+: | ¥2.599205 |
100+: | ¥2.376416 |
500+: | ¥2.238499 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥3.34