货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥24.026166 | ¥24.03 |
10 | ¥21.62355 | ¥216.24 |
100 | ¥17.377676 | ¥1737.77 |
500 | ¥14.277048 | ¥7138.52 |
1000 | ¥11.829509 | ¥11829.51 |
制造商 Vishay
商标名 TrenchFET
商标 Vishay Semiconductors
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 60 V
漏极电流 10.3 A
漏源电阻 22 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 18 nC
耗散功率 4.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
正向跨导(Min) 26 S
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 25 ns
典型接通延迟时间 10 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 SI7850DP-GE3
单位重量 506.600 mg
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0SI7850DP-T1-GE3
型号:SI7850DP-T1-GE3
品牌:SILICONIX
供货:锐单
单价:
1+: | ¥24.026166 |
10+: | ¥21.62355 |
100+: | ¥17.377676 |
500+: | ¥14.277048 |
1000+: | ¥11.829509 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥24.03