货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
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1 | ¥13.582183 | ¥13.58 |
10 | ¥11.127424 | ¥111.27 |
100 | ¥8.657707 | ¥865.77 |
500 | ¥7.338367 | ¥3669.18 |
1000 | ¥5.977906 | ¥5977.91 |
制造商 Infineon
商标 Infineon / IR
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 55 V
漏极电流 18 A
漏源电阻 110 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 4 V
栅极电荷 32 nC
耗散功率 57 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 16 ns
正向跨导(Min) 4.2 S
上升时间 28 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 20 ns
典型接通延迟时间 12 ns
高度 2.3 mm
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
类型 HEXFET Power MOSFET
零件号别名 IRFR5505TRPBF SP001573294
单位重量 330 mg
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0IRFR5505TRPBF
型号:IRFR5505TRPBF
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥13.582183 |
10+: | ¥11.127424 |
100+: | ¥8.657707 |
500+: | ¥7.338367 |
1000+: | ¥5.977906 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥13.58