货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥4.017868 | ¥4.02 |
10 | ¥3.0098 | ¥30.10 |
30 | ¥2.83699 | ¥85.11 |
100 | ¥2.649776 | ¥264.98 |
500 | ¥2.56337 | ¥1281.68 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 270 mA
漏源电阻 2 Ohms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 500 pC
耗散功率 520 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
晶体管类型 1 N-Channel
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 2 mg
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0DMN313DLT-7
型号:DMN313DLT-7
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
1+: | ¥4.017868 |
10+: | ¥3.0098 |
30+: | ¥2.83699 |
100+: | ¥2.649776 |
500+: | ¥2.56337 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥4.02