货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥80.93862 | ¥80.94 |
10 | ¥73.095084 | ¥730.95 |
100 | ¥60.51205 | ¥6051.20 |
500 | ¥52.693068 | ¥26346.53 |
制造商 Infineon
商标 Infineon Technologies
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 49 V
漏极电流 36 A
漏源电阻 6.5 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 155 nC
耗散功率 300 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 36 ns
正向跨导(Min) 30 S
上升时间 37 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 70 ns
典型接通延迟时间 30 ns
高度 4.4 mm
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
零件号别名 BTS282Z E3180A SP000910848
单位重量 1.600 g
购物车
0BTS282ZE3180AATMA2
型号:BTS282ZE3180AATMA2
品牌:INFINEON
供货:锐单
单价:
1+: | ¥80.93862 |
10+: | ¥73.095084 |
100+: | ¥60.51205 |
500+: | ¥52.693068 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥80.94