货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥22.242571 | ¥22.24 |
10 | ¥19.945387 | ¥199.45 |
100 | ¥16.032882 | ¥1603.29 |
500 | ¥13.172708 | ¥6586.35 |
1000 | ¥10.948693 | ¥10948.69 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 2.4 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 14 nC
耗散功率 113 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
正向跨导(Min) 150 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 9 ns
开发套件 TPS51218EVM-49, TPS40304EVM-353
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 117.400 mg
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0CSD16321Q5
型号:CSD16321Q5
品牌:TI
供货:锐单
单价:
1+: | ¥22.242571 |
10+: | ¥19.945387 |
100+: | ¥16.032882 |
500+: | ¥13.172708 |
1000+: | ¥10.948693 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥22.24