货期:国内(1~3工作日)
起订量:1
整装: ¥10
数量 | 价格 | 总计 |
---|---|---|
1 | ¥1.568608 | ¥1.57 |
10 | ¥1.202333 | ¥12.02 |
30 | ¥1.135078 | ¥34.05 |
100 | ¥1.067823 | ¥106.78 |
500 | ¥1.037905 | ¥518.95 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 45 V
漏极电流 2 A
漏源电阻 180 mOhms
栅极电压 - 12 V, + 12 V
栅源极阈值电压 500 mV
栅极电荷 2.9 nC
耗散功率 1 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 11 ns
上升时间 16 ns
晶体管类型 1 N-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 21 ns
典型接通延迟时间 11 ns
高度 0.85 mm
长度 2.9 mm
宽度 1.6 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RTR020N05
单位重量 12 mg
购物车
0RTR020N05TL
型号:RTR020N05TL
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
1+: | ¥1.568608 |
10+: | ¥1.202333 |
30+: | ¥1.135078 |
100+: | ¥1.067823 |
500+: | ¥1.037905 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥1.57