
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥25.502786 | ¥25.50 |
| 10 | ¥22.868892 | ¥228.69 |
| 100 | ¥18.382909 | ¥1838.29 |
| 500 | ¥15.103503 | ¥7551.75 |
| 1000 | ¥12.553503 | ¥12553.50 |
制造商 Texas Instruments
商标名 NexFET
商标 Texas Instruments
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 25 V
漏极电流 5 A
漏源电阻 2.4 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 14 nC
耗散功率 113 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
正向跨导(Min) 150 S
上升时间 15 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 27 ns
典型接通延迟时间 9 ns
开发套件 TPS51218EVM-49, TPS40304EVM-353
高度 1 mm
长度 6 mm
宽度 5 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 117.400 mg
购物车
0CSD16321Q5
型号:CSD16321Q5
品牌:TI
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥25.502786 |
| 10+: | ¥22.868892 |
| 100+: | ¥18.382909 |
| 500+: | ¥15.103503 |
| 1000+: | ¥12.553503 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥25.50