
货期:国内(1~3工作日)
起订量:10
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 10 | ¥0.327707 | ¥3.28 |
| 100 | ¥0.273089 | ¥27.31 |
| 300 | ¥0.240323 | ¥72.10 |
| 1000 | ¥0.213015 | ¥213.02 |
| 5000 | ¥0.202088 | ¥1010.44 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 200 mA
漏源电阻 1.2 Ohms
栅极电压 - 10 V, + 10 V
栅源极阈值电压 300 mV
栅极电荷 1.4 nC
耗散功率 150 mW
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 17 ns
上升时间 4 ns
晶体管类型 1 P-Channel MOSFET
典型关闭延迟时间 17 ns
典型接通延迟时间 6 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RZM002P02
单位重量 1.500 mg
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0RZM002P02T2L
型号:RZM002P02T2L
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 10+: | ¥0.327707 |
| 100+: | ¥0.273089 |
| 300+: | ¥0.240323 |
| 1000+: | ¥0.213015 |
| 5000+: | ¥0.202088 |
货期:1-2天
单价:¥0.00总价:¥0.00