
货期: 8周-10周
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥355.223532 | ¥355.22 |
| 60 | ¥210.78585 | ¥12647.15 |
| 120 | ¥209.011263 | ¥25081.35 |
制造商 Transphorm
商标 Transphorm
技术 GaN
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 47.2 A
漏源电阻 41 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 3.4 V
栅极电荷 24 nC
耗散功率 187 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 12 ns
上升时间 14 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 98 ns
典型接通延迟时间 69 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
品牌:Transphorm
价格:¥188.564282
品牌:Transphorm
价格:¥56.770889
品牌:Transphorm
价格:¥35.49869
品牌:Transphorm
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0TP65H035WSQA
型号:TP65H035WSQA
品牌:Transphorm
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥355.223532 |
| 60+: | ¥210.78585 |
| 120+: | ¥209.011263 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥355.22