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DMN3030LSS-13

DIODES(美台)
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制造商编号:
DMN3030LSS-13
制造商:
DIODES(美台)
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
MOSFET N-CH 30V 9A 8-SOIC
渠道:
国内现货
digikey

库存 :有货

货期:国内(1~3工作日)

起订量:2500

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
2500 0.968861 2422.15
5000 0.919569 4597.85
12500 0.853886 10673.58
25000 0.834192 20854.80
62500 0.812966 50810.38

规格参数

关键信息

制造商 Diodes Incorporated

商标 Diodes Incorporated

产品 MOSFET Small Signal

技术类参数

技术 Si

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 30 V

漏极电流 9 A

漏源电阻 18 mOhms

栅极电压 - 25 V, + 25 V

栅源极阈值电压 2.1 V

栅极电荷 16.7 nC

耗散功率 2.5 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 14 ns

上升时间 4.5 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 18 ns

典型接通延迟时间 3.2 ns

外形参数

高度 1.5 mm

长度 4.95 mm

宽度 3.95 mm

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 SMD/SMT

产品类型 MOSFET

单位重量 850 mg

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DMN3030LSS-13

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型号:DMN3030LSS-13

品牌:DIODES

供货:锐单

库存:有货 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

2500+: ¥0.968861
5000+: ¥0.919569
12500+: ¥0.853886
25000+: ¥0.834192
62500+: ¥0.812966

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