
货期:国内(1~3工作日)
起订量:2500
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 2500 | ¥0.968861 | ¥2422.15 |
| 5000 | ¥0.919569 | ¥4597.85 |
| 12500 | ¥0.853886 | ¥10673.58 |
| 25000 | ¥0.834192 | ¥20854.80 |
| 62500 | ¥0.812966 | ¥50810.38 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
产品 MOSFET Small Signal
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 9 A
漏源电阻 18 mOhms
栅极电压 - 25 V, + 25 V
栅源极阈值电压 2.1 V
栅极电荷 16.7 nC
耗散功率 2.5 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 14 ns
上升时间 4.5 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 18 ns
典型接通延迟时间 3.2 ns
高度 1.5 mm
长度 4.95 mm
宽度 3.95 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 850 mg
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0DMN3030LSS-13
型号:DMN3030LSS-13
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 2500+: | ¥0.968861 |
| 5000+: | ¥0.919569 |
| 12500+: | ¥0.853886 |
| 25000+: | ¥0.834192 |
| 62500+: | ¥0.812966 |
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