
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥8.925281 | ¥8.93 |
| 10 | ¥7.593573 | ¥75.94 |
| 25 | ¥7.089224 | ¥177.23 |
| 100 | ¥5.267333 | ¥526.73 |
| 250 | ¥5.003825 | ¥1250.96 |
| 500 | ¥4.112713 | ¥2056.36 |
| 1000 | ¥3.342731 | ¥3342.73 |
制造商 ROHM Semiconductor
商标 ROHM Semiconductor
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 30 V
漏极电流 5.5 A
漏源电阻 19 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 1 V
栅极电荷 8.6 nC
耗散功率 1.25 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 7 ns
正向跨导(Min) 3.4 S
上升时间 12 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 16 ns
典型接通延迟时间 7 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
零件号别名 RQ6E055BN
单位重量 28.694 mg
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0RQ6E055BNTCR
型号:RQ6E055BNTCR
品牌:ROHM
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥8.925281 |
| 10+: | ¥7.593573 |
| 25+: | ¥7.089224 |
| 100+: | ¥5.267333 |
| 250+: | ¥5.003825 |
| 500+: | ¥4.112713 |
| 1000+: | ¥3.342731 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥8.93