SISS61DN-T1-GE3
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- 制造商编号：
- SISS61DN-T1-GE3
- 制造商：
- SILICONIX(威世)
- 产品类别：
- 晶体管-FET，MOSFET-单个
- 商品描述：
- MOSFET P-CH 20V PPAK 1212-8S
- 渠道：
- 国内现货digikey
库存 ：有货
货期：国内（1~3工作日）
起订量：5
整装： ￥10
定价（含税）
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 5 | ￥4 | ￥20.00 |
规格参数
关键信息
制造商 Vishay
商标 Vishay Semiconductors
技术类参数
技术 Si
晶体管极性 P-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 20 V
漏极电流 111.9 A
漏源电阻 2.9 mOhms
栅极电压 - 8 V, + 8 V
栅源极阈值电压 900 mV
栅极电荷 154 nC
耗散功率 65.8 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 15 ns
上升时间 10 ns
晶体管类型 1 P-Channel
典型关闭延迟时间 90 ns
典型接通延迟时间 15 ns
物理类型
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 1 g
SISS61DN-T1-GE3 同类别型号
注
SISS61DN-T1-GE3品牌厂家：SILICONIX
，所属分类： 晶体管-FET，MOSFET-单个
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替代型号
、SISS61DN-T1-GE3
数据手册PDF。
SISS61DN-T1-GE3
型号：SISS61DN-T1-GE3
品牌：SILICONIX
供货：锐单
库存：有货 MPQ：4000 MOQ：1
单价：
| 5+： | ￥4 |
货期：1-2天
+ -
单价：￥0.00总价：￥0.00