
货期:国内(1~3工作日)
起订量:1000
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1000 | ¥1.801774 | ¥1801.77 |
| 2000 | ¥1.632857 | ¥3265.71 |
| 5000 | ¥1.520246 | ¥7601.23 |
| 10000 | ¥1.463941 | ¥14639.41 |
| 25000 | ¥1.426404 | ¥35660.10 |
制造商 Diodes Incorporated
商标 Diodes Incorporated
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 100 V
漏极电流 2.9 A
漏源电阻 250 mOhms
栅极电压 - 20 V, + 20 V
栅源极阈值电压 2 V
栅极电荷 7.7 nC
耗散功率 2 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 3.2 ns
正向跨导(Min) 5 S
上升时间 2.2 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 8 ns
典型接通延迟时间 3.4 ns
高度 1.65 mm
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 112 mg
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0ZXMN10A08GTA
型号:ZXMN10A08GTA
品牌:DIODES
供货:锐单
单价:
| 1000+: | ¥1.801774 |
| 2000+: | ¥1.632857 |
| 5000+: | ¥1.520246 |
| 10000+: | ¥1.463941 |
| 25000+: | ¥1.426404 |
货期:1-2天
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