
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥3.541779 | ¥3.54 |
| 10 | ¥2.890091 | ¥28.90 |
| 25 | ¥2.425409 | ¥60.64 |
| 100 | ¥1.18437 | ¥118.44 |
| 250 | ¥1.16567 | ¥291.42 |
| 500 | ¥0.988015 | ¥494.01 |
| 1000 | ¥0.686397 | ¥686.40 |
制造商 Toshiba
商标 Toshiba
晶体管极性 NPN
配置 Dual
击穿电压(集电极-发射极) 50 V
集电极—基极电压 60 V
发射极 - 基极电压 5 V
饱和电压 100 mV
最大直流电集电极电流 150 mA
耗散功率 200 mW
增益带宽产品 80 MHz
直流集电极 120
直流电流增益(Max) 400
技术 Si
产品种类 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
安装风格 SMD/SMT
资格 AEC-Q101
产品类型 BJTs - Bipolar Transistors
单位重量 6.800 mg
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0HN1C01FU-Y,LF
型号:HN1C01FU-Y,LF
品牌:Toshiba
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥3.541779 |
| 10+: | ¥2.890091 |
| 25+: | ¥2.425409 |
| 100+: | ¥1.18437 |
| 250+: | ¥1.16567 |
| 500+: | ¥0.988015 |
| 1000+: | ¥0.686397 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥3.54