
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥46.066433 | ¥46.07 |
| 10 | ¥29.85226 | ¥298.52 |
| 100 | ¥20.638975 | ¥2063.90 |
制造商 onsemi
商标 onsemi / Fairchild
技术 Si
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 250 V
漏极电流 33 A
漏源电阻 94 mOhms
栅极电压 - 30 V, + 30 V
栅源极阈值电压 3 V
栅极电荷 48 nC
耗散功率 235 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 120 ns
上升时间 230 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 75 ns
典型接通延迟时间 35 ns
高度 4.83 mm
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
产品种类 MOSFET
安装风格 SMD/SMT
产品类型 MOSFET
单位重量 4 g
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0FDB33N25TM
型号:FDB33N25TM
品牌:ON
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥46.066433 |
| 10+: | ¥29.85226 |
| 100+: | ¥20.638975 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥46.07