
货期:(7~10天)
起订量:1
整装: ¥10
| 数量 | 价格 | 总计 |
|---|---|---|
| 1 | ¥320.108739 | ¥320.11 |
| 10 | ¥295.247006 | ¥2952.47 |
| 100 | ¥252.115246 | ¥25211.52 |
| 500 | ¥228.894611 | ¥114447.31 |
制造商 Transphorm
商标 Transphorm
技术 GaN
晶体管极性 N-Channel
通道数量 1 Channel
漏源击穿电压 650 V
漏极电流 35 A
漏源电阻 62 mOhms
栅极电压 - 18 V, + 18 V
栅源极阈值电压 1.6 V
栅极电荷 42 nC
耗散功率 125 W
通道模式 Enhancement
配置 Single
下降时间 8.6 ns
上升时间 7.6 ns
晶体管类型 1 N-Channel
典型关闭延迟时间 40 ns
典型接通延迟时间 36 ns
产品种类 MOSFET
安装风格 Through Hole
资格 AEC-Q101
产品类型 MOSFET
单位重量 6 g
品牌:Transphorm
价格:¥2256.401796
品牌:Transphorm
价格:¥54.019303
品牌:Transphorm
价格:咨询客服
品牌:Transphorm
价格:¥61.214337
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0TPH3205WSBQA
型号:TPH3205WSBQA
品牌:Transphorm
供货:锐单
单价:
| 1+: | ¥320.108739 |
| 10+: | ¥295.247006 |
| 100+: | ¥252.115246 |
| 500+: | ¥228.894611 |
货期:7-10天
单价:¥0.00总价:¥320.11