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TPH3205WSBQA

Transphorm
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制造商编号:
TPH3205WSBQA
制造商:
Transphorm
产品类别:
晶体管-FET,MOSFET-单个
商品描述:
GANFET N-CH 650V 35A TO247
渠道:
digikey

库存 :264

货期:(7~10天)

起订量:1

整装: ¥10

定价(含税)

数量 价格 总计
1 320.108739 320.11
10 295.247006 2952.47
100 252.115246 25211.52
500 228.894611 114447.31

规格参数

关键信息

制造商 Transphorm

商标 Transphorm

技术类参数

技术 GaN

晶体管极性 N-Channel

通道数量 1 Channel

漏源击穿电压 650 V

漏极电流 35 A

漏源电阻 62 mOhms

栅极电压 - 18 V, + 18 V

栅源极阈值电压 1.6 V

栅极电荷 42 nC

耗散功率 125 W

通道模式 Enhancement

配置 Single

下降时间 8.6 ns

上升时间 7.6 ns

晶体管类型 1 N-Channel

典型关闭延迟时间 40 ns

典型接通延迟时间 36 ns

物理类型

产品种类 MOSFET

安装风格 Through Hole

资格 AEC-Q101

产品类型 MOSFET

单位重量 6 g

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TPH3205WSBQA

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型号:TPH3205WSBQA

品牌:Transphorm

供货:锐单

库存:264 MPQ:4000 MOQ:1

单价:

1+: ¥320.108739
10+: ¥295.247006
100+: ¥252.115246
500+: ¥228.894611

货期:7-10天

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单价:¥0.00总价:¥320.11